032018-12
碳化硅（SiC）器件生產工藝和技術已經日趨成熟，目前市場推廣最大的障礙是成本。包括研發和生產成本以及應用中碳化硅器件代換IGBT后整個電路中的驅動電容電阻的成本。除非生產商主推，而且的確能降低成本提高性能。..
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032018-12
由于電力電子器件工作狀態有開通、通態、關斷、斷態四種工作狀態，其中斷態、通態分別承受高電壓、大電流，而開通和關斷的過程中，開關器件可能同時承受過壓過流、過大的di/dt、du/dt以及過大的瞬時功率。所以為了防..
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032018-12
第一:降成本的需求。以兩點平為例，直接購買賽米控等廠商的成品模塊固然可提高產品穩定性，但是相應的成本增加不是一般公司能承受的，使用多模塊并聯可明顯降低成本（不明白你們成本怎么還增加了）。一般電流越大的i..
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032018-12
1、驅動電路：由于IGBT的UCE(sat)和短路耐量之間的折衷關系，建議將柵極電壓選為+UG＝15V±10%，—UG=5~10V。柵極電阻與IGBT的開通和關斷特性密切相關，RG小時開關損耗減少，開關時間縮短，關斷脈沖電壓增大。應根據..
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